03.06.2024
IXTN170P10P
Характеристики IXTN170P10P
-
СерияPolarP™
-
ПроизводительIXYS
-
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureStandard
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 500mA, 10V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C170A
-
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs240nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds12600pF @ 25V
-
Power - Max890W
-
Исполнение / КорпусSOT-227, miniBLOC
-
УпаковкаTube
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
03.06.2024
02.06.2024