SI1016CX-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI1016CX-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI1016CX-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N and P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 0.6 A, 0.18 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.396 Ohms, 0.756 Ohms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-89-6 (SOT563-6) Fall Time: 11 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 2 S, 1 S Gate Charge Qg: 0.75 nC, 1 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 0.22 W Rise Time: 16 ns Series: SI1016CX Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 26 ns
• Количество страниц
  12 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI1016CX-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 215,31 KB